Erzeugung und Charakterisierung metallischer Nanostrukturen auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen (Record no. 64456)

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International Standard Book Number KSP/1000001173
020 ## - INTERNATIONAL STANDARD BOOK NUMBER
International Standard Book Number 3937300279
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Standard number or code 10.5445/KSP/1000001173
Terms of availability doi
041 0# - LANGUAGE CODE
Language code of text/sound track or separate title German
042 ## - AUTHENTICATION CODE
Authentication code dc
100 1# - MAIN ENTRY--PERSONAL NAME
Personal name Hugelmann, Martin
Relationship auth
245 10 - TITLE STATEMENT
Title Erzeugung und Charakterisierung metallischer Nanostrukturen auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen
260 ## - PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Name of publisher, distributor, etc. KIT Scientific Publishing
Date of publication, distribution, etc. 2004
300 ## - PHYSICAL DESCRIPTION
Extent 1 electronic resource (VII, 189 p. p.)
506 0# - RESTRICTIONS ON ACCESS NOTE
Terms governing access Open Access
Source of term star
Standardized terminology for access restriction Unrestricted online access
520 ## - SUMMARY, ETC.
Summary, etc. Zyklische Voltammetrie und elektrochemisches Rastertunnelmikroskop (STM) wurden dazu verwendet die Eignung der Metalle Co, Pb, Cu und Au zur lokalisierten Elektrodeposition auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen zu untersuchen. Dabei konnten auf atomar glatten n-Si(111):H Oberflächen abgeschiedene Co, Cu und Au Cluster mittels STM abgebildet werden. Die in situ Charakterisierung elektrochemisch gewachsener makroskopischer Co/n-Si(111):H, Pb/n-Si(111):H, Cu/n-Si(111):H und Au/n-Si(111):H-Kontakte erlaubte das elektronische Kontaktverhalten zu bestimmen. Mit Hilfe der gewonnen Erkenntnisse konnten 0D und 1D Pb-Nanostrukturen auf n-Si(111):H-Oberflächen lokalisiert aufgewachsen werden.Zur in situ Charakterisierung von Nanostrukturen wurden die Distanz-Tunnel-Spektroskopie (DTS) und die Kontakt-Spektroskopie (CS) eingesetzt. Im System Au(111)-Substrat/Au-Spitze erlaubte eine modifizierte DTS-Annäherungsroutine den Abstandsnullpunkt zwischen Oberfläche und STM-Spitze mit einer Genauigkeit von 1/3 Monolage zu bestimmen und Oszillationen der Barrierenhöhe in Abhängigkeit des Abstands zu messen. In situ Strom/Spannungs-Messung an 1D Goldpunktkontakten wiesen auf ein rein ohmsches Verhalten hin. Unterdessen spiegelten CS-Untersuchungen an Au/n-Si(111):H-Nanodioden gleichrichtendes Kontaktverhalten wider, wobei im Vergleich zu makroskopischen Au/n-Si(111):H-Kontakten eine um fünf Dekaden höhere Stromdichte ermittelt werden konnte.
540 ## - TERMS GOVERNING USE AND REPRODUCTION NOTE
Terms governing use and reproduction All rights reserved
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546 ## - LANGUAGE NOTE
Language note German
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Uncontrolled term Halbleiter
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED
Uncontrolled term Raster-Tunnel-Mikroskop
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Uncontrolled term Nanostruktur
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Uncontrolled term Barrierenhöhe
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED
Uncontrolled term Elektrochemie
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