| 000 | 02573naaaa2200301uu 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/46742 | ||
| 005 | 20220220041355.0 | ||
| 020 | _aKSP/1000001173 | ||
| 020 | _a3937300279 | ||
| 024 | 7 |
_a10.5445/KSP/1000001173 _cdoi |
|
| 041 | 0 | _aGerman | |
| 042 | _adc | ||
| 100 | 1 |
_aHugelmann, Martin _4auth |
|
| 245 | 1 | 0 | _aErzeugung und Charakterisierung metallischer Nanostrukturen auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen |
| 260 |
_bKIT Scientific Publishing _c2004 |
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| 300 | _a1 electronic resource (VII, 189 p. p.) | ||
| 506 | 0 |
_aOpen Access _2star _fUnrestricted online access |
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| 520 | _aZyklische Voltammetrie und elektrochemisches Rastertunnelmikroskop (STM) wurden dazu verwendet die Eignung der Metalle Co, Pb, Cu und Au zur lokalisierten Elektrodeposition auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen zu untersuchen. Dabei konnten auf atomar glatten n-Si(111):H Oberflächen abgeschiedene Co, Cu und Au Cluster mittels STM abgebildet werden. Die in situ Charakterisierung elektrochemisch gewachsener makroskopischer Co/n-Si(111):H, Pb/n-Si(111):H, Cu/n-Si(111):H und Au/n-Si(111):H-Kontakte erlaubte das elektronische Kontaktverhalten zu bestimmen. Mit Hilfe der gewonnen Erkenntnisse konnten 0D und 1D Pb-Nanostrukturen auf n-Si(111):H-Oberflächen lokalisiert aufgewachsen werden.Zur in situ Charakterisierung von Nanostrukturen wurden die Distanz-Tunnel-Spektroskopie (DTS) und die Kontakt-Spektroskopie (CS) eingesetzt. Im System Au(111)-Substrat/Au-Spitze erlaubte eine modifizierte DTS-Annäherungsroutine den Abstandsnullpunkt zwischen Oberfläche und STM-Spitze mit einer Genauigkeit von 1/3 Monolage zu bestimmen und Oszillationen der Barrierenhöhe in Abhängigkeit des Abstands zu messen. In situ Strom/Spannungs-Messung an 1D Goldpunktkontakten wiesen auf ein rein ohmsches Verhalten hin. Unterdessen spiegelten CS-Untersuchungen an Au/n-Si(111):H-Nanodioden gleichrichtendes Kontaktverhalten wider, wobei im Vergleich zu makroskopischen Au/n-Si(111):H-Kontakten eine um fünf Dekaden höhere Stromdichte ermittelt werden konnte. | ||
| 540 |
_aAll rights reserved _4http://oapen.org/content/about-rights |
||
| 546 | _aGerman | ||
| 653 | _aHalbleiter | ||
| 653 | _aRaster-Tunnel-Mikroskop | ||
| 653 | _aNanostruktur | ||
| 653 | _aBarrierenhöhe | ||
| 653 | _aElektrochemie | ||
| 856 | 4 | 0 |
_awww.oapen.org _uhttps://www.ksp.kit.edu/3937300279 _70 _zDOAB: download the publication |
| 856 | 4 | 0 |
_awww.oapen.org _uhttps://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/46742 _70 _zDOAB: description of the publication |
| 999 |
_c64456 _d64456 |
||